Samsung Siapkan Memori Internal 1 Tb Untuk Galaxy S10+

Technologue.id, Jakarta – Samsung Electronics mengumumkan proyek perakitan Universal Flash Storage tertanam (eUFS) 2.1 dengan kapasitas 1 TeraByte pertama di industri. eUFS 2.1 ini sudah memasuki produksi massal dan diprediksi bakal hinggap di smartphone premium mendatang. Benarkah di Galaxy S10?

Dilansir dari Samsung Newsroom (30/1/2019), kemungkinan Galaxy S10 akan menjadi smartphone flagship pertama yang mengadopsi chip memori eUFS 2.1. Namun bukan versi reguler, melainkan Galaxy S10+ yang notabene varian tertinggi dari lineup Galaxy S10.

Secara performa, 1TB eUFS mengatakan kecepatan rate meningkat jikalau dibandingkan 512GB eUFS yang dirilis pada November 2017.

Sebagai perbandingan, 1TB eUFS mempunyai kecepatan baca (read) 1.000 MB/s dan tulis (write) 260 MB/s, sedangkan 512GB eUFS hanya 860 MB/s untuk read dan 255 MB/s untuk write.

Samsung mengklaim, kecepatan baca sekuensial 1TB eUFS dua kali lipat dari SSD 2,5 inci SATA Solid State Drive (SSD). Tak hanya itu, kecepatan baca acak juga meningkat sampai 38 persen dari versi 512GB eUFS, mencapai 58.000 IOPS.

Dengan kapasitas 1TB, smartphone yang mempunyai ruang penyimpanan ini sanggup menyimpan lebih banyak berkas. Samsung mengandaikan, flagship unggulannya mendatang bisa menyimpan 260 video kualitas 4K UHD berdurasi 10 menit.

Chip ini didukung juga oleh V-NAND generasi kelima perusahaan, sehingga mengatakan penyimpanan 20x lebih banyak daripada memori internal 64GB dan 10x kecepatan kartu microSD khas untuk aplikasi data-intensive.